Buscar por Autor Tinajero, José Luis
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| Fecha de publicación | Título | Autor(es) | Director(es) | Tribunal (Tesis) |
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| 25-dic-2019 | Análisis comparativo del nivel de defectuosidad en los dispositivos de potencia SiC n-MOSFETs. | Guevara, Esteban; Tinajero, José Luis; Guevara, Mauro; Cajas Buenaño, Mildred | - | - |